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v兼容200mm以下所有尺寸的晶圆,快速更换到不同尺寸的晶圆工艺
v电极的适用温度范围宽,-150°C至400°C
vICP源尺寸为65mm,180mm,300mm
v应用方向:
ØIII-V族材料的刻蚀工艺
Ø固体激光器InP刻蚀
ØVCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
Ø射频器件低损伤GaN刻蚀
Ø硅Bosch和超低温刻蚀工艺
Ø类金刚石(DLC)沉积
Ø二氧化硅和石英刻蚀
Ø用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆
Ø沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜,用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途
Ø用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀