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v应用方向:高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅,用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途;用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀
v电阻丝加热电极,温度可达400°C或1200°C
v实时监测清洗工艺,并且可自动停止工艺
v晶圆可达200mm,可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆
v高导通的径向(轴对称)抽气结构:确保提升了工艺均匀性和速率
v增加了<500毫秒的数据记录功能:可追溯腔室和工艺条件的历史记录
v通过前端软件进行设备故障诊断,故障诊断速度快
v用干涉法进行激光终点监测:在透明材料的反射面上测量刻蚀深度(例如硅上的氧化物),或者用反射法来确定非透明材料(如金属)的边界
v用发射光谱(OES)实现较大样品或批量工艺的终点监测:监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化,以及用于腔室清洗的终点监测
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